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劃痕實驗/細(xì)胞遷移:不同實驗方法及對比?

date:2024-05-17 15:58:07

   劃痕實驗/細(xì)胞遷移可以使用不同的方法在細(xì)胞單層創(chuàng)建間隙(稱為“劃痕”):

  
  插件:在細(xì)胞接種前通過將插件/模具放置在培養(yǎng)表面,來形成無殘留的空白區(qū)域/劃痕;
  
  刮擦:通過刮擦表面來制造人工“劃痕“機械去除細(xì)胞(劃痕分析)
  
  阻抗:通過在指定區(qū)域施加電壓來去除細(xì)胞而創(chuàng)建間隙
  
  有關(guān)如何創(chuàng)建間隙的更多詳細(xì)信息和方法,可查看此評論:
  
  W.J. Ashby, A. Zijlstra. Established and novel methods of interrogating two-dimensional cell migration. Integr Biol 2012, 10.1039/c2ib20154b
  
  使用ibidi劃痕插件創(chuàng)建間隙
  
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  ibidi提供三種不同規(guī)格的劃痕插件用于間隙的創(chuàng)建:ibidi有2孔、3孔和4孔插件(也有預(yù)置了2孔、3孔和4孔插件的培養(yǎng)皿)。由于特殊的底部(靜電黏附底部)設(shè)計,插件(生物相容硅膠材料)可粘附在培養(yǎng)器皿的表面。移除插件后,可形成無細(xì)胞殘留的空白間隙。此種方法使得在沒有任何細(xì)胞殘留的情況下,可重復(fù)地產(chǎn)生高度限定的空白間隙。
  
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  當(dāng)放置在平滑、干燥的表面上時,Culture-Insert 2 Well提供兩個用于培養(yǎng)細(xì)胞的儲液池,兩個儲液池由500μm厚的壁隔開。將細(xì)胞接種到儲液池中并培養(yǎng)直至細(xì)胞附著并形成單層,從表面移除硅膠插件后會產(chǎn)生兩個被插件中間壁隔開的精確定義的寬度完全相同的細(xì)胞區(qū)塊。現(xiàn)在可以通過使用活細(xì)胞成像或在不同時間點拍攝照片來監(jiān)測細(xì)胞遷移。
  
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  Culture -Insert 3 Well提供三個細(xì)胞培養(yǎng)池。可創(chuàng)建兩個各500 µm的無細(xì)胞間隙,因此適合分析兩個技術(shù)重復(fù)或不同細(xì)胞類型的遷移。
  
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  Culture -Insert 4 Well提供四個細(xì)胞培養(yǎng)池。除了四個500 µm無細(xì)胞間隙外,還可產(chǎn)生一個1mm的中心間隙。Culture-Insert 4 Well可最多觀察四個技術(shù)重復(fù)或不同細(xì)胞類型的遷移。
  
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  使用ibidi Culture-Insert 4 Well進行傷口愈合和遷移測定
  
  ibidi 3孔/4孔兩者都可以在藥物治療或基因沉默/過度表達(dá)(例如,通過 CRISPR/Cas9、siRNA、mRNA)后進行細(xì)胞遷移分析。重要的是,未經(jīng)處理的對照細(xì)胞可以在同一容器中接種和分析,共享相同的培養(yǎng)基。
  
  與其他間隙產(chǎn)生技術(shù)不同,ibidi劃痕插件系列產(chǎn)品還適用于2D侵襲實驗和同時使用兩種、三種甚至四種細(xì)胞類型或處理的共培養(yǎng)實驗
  
  通過刮擦創(chuàng)造間隙
  
  進行劃痕測定時,細(xì)胞會生長直至形成單層。然后,用移液管尖端或針頭手動刮擦細(xì)胞表面以產(chǎn)生傷口。通過在不同時間點拍攝照片或活細(xì)胞成像來監(jiān)測傷口閉合和細(xì)胞遷移。
  
  關(guān)于再現(xiàn)性,該方法有一定的缺點:
  
  間隙的寬度在很大程度上取決于施加到移液器尖端的壓力和其尺寸。
  
  刮擦?xí)圆豢蓮?fù)制的方式去除表面涂層。這改變了細(xì)胞在該區(qū)域的粘附和遷移。
  
  去除的細(xì)胞以不可重現(xiàn)的方式在劃痕邊緣形成活細(xì)胞和死細(xì)胞團。活細(xì)胞的擴散會覆蓋遷移的速度。
  
QQ圖片20240517142019.jpg
  
  乍一看,槍刮和放置插件的方法似乎是兩種非常相似的創(chuàng)建無細(xì)胞間隙的方法。然而,仔細(xì)觀察,這兩種方法可能在重要檢測結(jié)果方面的影響存在差異:
  
ibidi插件-1.jpg
  
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  與槍頭劃痕檢測相比,ibidi劃痕插件可提供更高的重現(xiàn)性
  
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  細(xì)胞遷移導(dǎo)致開放區(qū)域隨時間變化。使用ibidi Culture-Insert 2 well(左)和使用移液器吸頭刮擦(右)產(chǎn)生間隙的對比。數(shù)據(jù)來源:德國弗萊堡大學(xué)的M. Börries。
  
  使用阻抗的劃痕實驗
  
  ECIS傷口愈合實驗取代了傳統(tǒng)的劃痕實驗。ECIS System不是用移液管尖端機械地破壞細(xì)胞層,然后用顯微鏡跟蹤細(xì)胞的遷移,而是使用電信號對傷口進行監(jiān)測,然后監(jiān)測愈合過程。基于阻抗的傷口愈合實驗的優(yōu)點包括:
  
  •可同時進行多達(dá)96次傷口愈合實驗
  
  •直接推導(dǎo)時間常數(shù)和傷口愈合速度
  
  •經(jīng)濟高效的篩選應(yīng)用,從低通量到高通量
  
圖片11.png
  
電擊傷前(左)和電擊傷后(右)的細(xì)胞層。圓圈標(biāo)記電極區(qū)域,此處細(xì)胞暴露在電中
  
  在與250μm電極接觸的一小群細(xì)胞上進行點擊傷,從而產(chǎn)生明確的傷口。損傷區(qū)域內(nèi)的細(xì)胞密度由阻抗反映,由ECIS系統(tǒng)連續(xù)測量。受傷后,電極周圍的健康細(xì)胞立即遷移并取代電極上的死細(xì)胞,導(dǎo)致測量阻抗值的變化。根據(jù)細(xì)胞培養(yǎng)基中胎牛血清(FCS)的濃度,在10、13或20小時后再次達(dá)到原始細(xì)胞密度。
  
  對與250µm電極接觸的少量細(xì)胞進行電損傷,從而形成明確的傷口。受傷區(qū)域內(nèi)的細(xì)胞密度由阻抗反映,該阻抗由ECIS系統(tǒng)連續(xù)測量。受傷后,電極周圍的健康細(xì)胞立即遷移并替換電極上的死細(xì)胞,導(dǎo)致測量阻抗值發(fā)生變化。根據(jù)細(xì)胞培養(yǎng)基中胎牛血清(FCS)的濃度,在10、13或20小時后再次達(dá)到原始細(xì)胞密度。
  
圖片12.png
  
在細(xì)胞培養(yǎng)基中使用不同濃度(0%、1%和10%)的FCS對時間依賴性傷口閉合進行基于阻抗的分析
  
  
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